QST2300 是一款支持高压全范围半导体器件参数精密测试仪器，可进行高压电流电压测试(IV)、高压电容电压测试(CV)、大功率大电流脉冲测试(Pulsed IV)等。它能够对宽禁带半导体材料和器件(SiC、GaN、Ga2O3等)参数进行快速高精度测试和性能表征。

QST2320高压型SMU，提供四象限精密电压和电流源/负载，使用简单易用的触摸屏用户界面进行测 量。最高3000V的测量及输出电压，满足用户高压下高精度测量的需求。高达0.1fA的测量分辨率及 100fA的准确度。可用于测试高电阻、低泄漏器件、材料和模块，如碳化硅 (SiC)、氮化镓(GaN)、功 率 MOSFET、瞬态抑制器件、电路保护器件、功率模块和电池等。

缺陷能谱测试仪利用深能级陷阱对载流子的俘获和激发特性所表现出的电学特性测量半导体材料、器件、外延的界面态、杂质浓度、缺陷能级位等表征参数。设备通过对样品施加多种激励，对样品的电容进行高速数字化，实时分析其时频特性，并采用先进的AI技术对缺陷数据进行分类、识别、统计，为试验和生产提供有效指导数据。

QDT2050A功率器件动态参数测试机采用智能测试软件协同管理高分辨率示波器、电源、信号源、LCR、栅极电阻、负载等完成对最高2KV/500A的功率器件动态参数的一键全自动测试，数据自动判别，生成测试数据和报告，配合探针台、分选机实现晶圆、产线快速测试和验证。采用内置传感器、开关阵列等实现测试项、栅极电阻、感性/阻性负载自动调整，简化系统连线，优化环路电感，使测试更简便稳定、安全可靠，适用于第三代半导体功率器件MOSFET、IGBT、IPM等动态参数特性的测试、器件分选，为芯片设计、分选、入厂检测、驱动设计、失效分析等环节提供数据支撑，帮助用户快速应对各种市场应用需求