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SRAM器件辐射效应测试套件

概述:SRAM器件辐射效应测试套件包含可定制的夹具板、驱动与测试向量、可配置的软件插件,基于QDRP平台实现对通用异步SRAM器件的功能验证、性能测试、单粒子翻转测试、单粒子闩锁测试等,支持自动重写和自定义忽略地址功能,能够快速定制各种封装的夹具板以满足辐射效应测试的要求。
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  • 辐射效应测试系统 | 产品模块

    单粒子辐射   内存测试仪

    高度集成
    全面测试能力
    支持手动/自动读写、数据对比、单粒子翻转与门锁检测,覆盖辐射效应核心测试需求
    高度集成
    灵活定制适配
    可定制夹具板、驱动及软件插件,支持忽略地址列表和自动重写,快速适配不同封装器件
    高度集成
    多片并行轮询
    最多支持6片SRAM轮询测试,独立电源控制,提升辐射环境下的测试效率
    高度集成
    宽压宽电平兼容
    供电0.9V~12V,接口电平1.2V~3.4V,数据位宽8/16/32,适配多种异步SRAM

    主要功能

    手动数据写
    手动数据读
    手动数据对比
    自动测试,支持多片轮询
    自动重写
    忽略地址列表
    单粒子闩锁检测
    单粒子翻转检测
    独立电源控制
    独立电平/脉冲输出功能

    规格参数


    型号 QKSRAM01 QKSRAM06
    供电电源 4路0.9V~5.5V/4A、2路1V~12V/2A 4路0.9V~5.5V/4A、2路1V~12V/2A
    接口电平 1.2V~3.4V 1.2V~3.4V
    数据接口类型 LVCMOS LVCMOS
    数据位宽 8/16/32 8/16/32
    地址接口类型 LVCMOS LVCMOS
    地址位宽 1~32 1~32
    数据方向切换 支持 支持
    片选数量 1 6
    通用IO 8 8
    脉冲宽度 200ns~100ms 200ns~100ms
    访问时间 20ns~100ms 20ns~100ms
    写周期 20ns~100ms 20ns~100ms
    忽略地址列表 8组×8 8组×8


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