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缺陷能谱测试仪(DLTS)

概述:缺陷能谱测试仪利用深能级陷阱对载流子的俘获和激发特性所表现出的电学特性测量半导体材料、器件、外延的界面态、杂质浓度、缺陷能级位等表征参数。设备通过对样品施加多种激励,对样品的电容进行高速数字化,实时分析其时频特性,并采用先进的AI技术对缺陷数据进行分类、识别、统计,为试验和生产提供有效指导数据。
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    缺陷能谱测试仪利用深能级陷阱对载流子的俘获和激发特性所表现出的电学特性测量半导体材料、器件、外延的界面态、杂质浓度、缺陷能级位等表征参数。设备通过对样品施加多种激励,对样品的电容进行高速数字化,实时分析其时频特性,并采用先进的AI技术对缺陷数据进行分类、识别、统计,为试验和生产提供有效指导数据。

    主要功能

    ★极性识别★CV扫描

    ★瞬态电容测试★C-TLTS

    ★支持复合激励★支持AI建模

    ★时频分析★指数拟合

    ★温度扫描★电子束扫描



  • 型号

    QTCS241KA-TE

    偏置电源

    电压范围

    ±24V

    脉冲电源

    电压范围

    ±24V

    电压步进

    0.1V

    电压步进

    10mV

    电压纹波

    0.3mVrms

    脉冲宽度

    100ns20s

    电容计

    测量范围

    1pF100nF

    采集器

    有效采样率

    1MSPS

    电容灵敏度

    0.1fF

    采样精度

    16bits

    测试频率

    1MHz

    采样范围

    ±1V/±5V

    测试电平

    20mV

    采样模式

    静态/触发

    恒温器

    温度范围

    20K500K

    电子束

    束流能量

    1KeV50KeV

    制冷方式

    液氦闭环

    束斑尺寸

    0.5mm100mm

    温度稳定度

    ±0.01K

    光束电流

    10nA10mA




应用领域

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