瞬态信号分析仪

材料类型： Si、SiC、GaN、Ga2O3等  

器件类型：晶体管、MOSFET、SBD、IGBT等二极、三极器件

瞬态分析间隔：实时刷新10ms，瞬态刷新1us

辐射效应检测：SEB、SEGR、SEL

半导体参数分析：IV、HFE、 Vth、Vbr

耐 压 测 试：Vds、Vgs，0.1V～5000V

漏电流测试： Id、Ig ，100pA～100mA高动态

高 阻 测 试：10Ω～10GΩ